SK海力士發布全球首款321層1Tb NAND閃存UFS 4.1解決方案
發布時間：2025-5-22 10:30
發布者：eechina
SK海力士今日正式宣布，成功研發出搭載全球最高321層1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND閃存的移動端解決方案產品UFS 4.1。該產品以革命性技術創新突破行業瓶頸，重新定義高性能、低功耗與輕薄設計的完美平衡，為智能手機端側AI（On-device AI）應用提供強大支持，并鞏固SK海力士在旗艦移動存儲市場的領導地位。
AI時代賦能：性能與低功耗兼得 隨著端側AI技術的快速發展，用戶對移動設備的計算性能與續航能力提出更高要求。SK海力士此次推出的UFS 4.1產品專為優化AI工作負載設計，搭載的321層NAND閃存通過優化存儲單元結構與數據傳輸機制，實現了能效7%提升，為智能手機提供更持久的續航表現。同時，其厚度縮減至僅0.85mm，較上一代產品減薄15%，完美適配超薄智能手機設計需求，為設備形態創新預留空間。 性能領跑行業：速度與容量全面升級 在數據傳輸層面，該UFS 4.1產品支持順序讀取峰值速率達4300MB/s，可快速加載大型AI模型與媒體文件。其隨機讀取和寫入速度較上一代分別提升15%和40%，在多任務處理、大型游戲啟動及高分辨率圖像與視頻處理等場景中表現卓越，綜合性能位居全球UFS 4.1解決方案首位。 容量方面，新品提供512GB與1TB雙版本選擇，滿足從普通用戶到大容量需求者的多種場景需求，進一步推動本地存儲從“云端依賴”向“邊緣計算”的轉變，助力端側AI實時響應與隱私保護。 技術突破：321層工藝定義行業新標桿 此次發布的解決方案基于全球首款321層4D NAND閃存（1Tb容量），標志著SK海力士在存儲芯片制程與堆疊技術領域取得重大躍進。通過優化垂直堆疊技術與電路設計，該產品在單位面積內實現更高存儲密度，同時降低能耗與發熱，為未來智能手機向更高性能、更輕薄、更智能的方向演進提供堅實基礎。 量產計劃穩步推進 SK海力士計劃于202X年底向客戶交付樣品進行驗證測試，并將于202X年第一季度正式量產。公司高層表示：“UFS 4.1解決方案的推出，不僅展現了我們在NAND技術創新上的領先性，更體現了對未來AI終端生態的深度布局。我們期待攜手合作伙伴，加速端側AI應用的普及，為用戶帶來更高效、更智能的移動體驗�！� |
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