SPD15P10PL【功率 MOSFET 晶體管】STF22NM60N，MPQ2178GQHE-AEC1-Z 同步降壓變換器

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型號：SPD15P10PL
封裝：TO-252-3/DPAK
類型：功率 MOSFET 晶體管
概述：SPD15P10PL——采用 DPAK 封裝的 100V，15A，OptiMOS™ P 通道功率 MOSFET 晶體管。
規格參數：
FET 類型：P 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：100 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：15A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：200 毫歐 @ 11.3A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1.54mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：62 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1490 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：128W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：PG-TO252-3
封裝/外殼：TO-252-3，DPAK（2 引線 +耳片），SC-63

型號：STF22NM60N
封裝：TO-220-3
類型：功率MOSFET晶體管
概述：STF22NM60N——600V，16A，MDmesh™ II系列 N通道功率MOSFET晶體管。
規格參數：
系列：MDmesh™ II
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：600 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：16A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：220 毫歐 @ 8A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 100µA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：44 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1300 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）：30W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應商器件封裝：TO-220FP
封裝/外殼：TO-220-3

型號：MPQ2178GQHE-AEC1-Z
封裝：QFN-8
類型：同步降壓變換器
概述：MPQ2178GQHE-AEC1-Z—— 6V、2A、2.4MHz、同步降壓變換器，內置功率 MOSFET，具有電源正常指示和軟啟動功能。
關鍵特性：
適合汽車應用：
2.5V 至 6V 寬工作VIN范圍
高達 2A 的輸出電流(IOUT)
反饋精度為 1%
結溫工作范圍：-40°C 至+150°C
用于提高散熱性能：
70mΩ 和 40mΩ 內部功率 MOSFET
優化后可實現 EMC/EMI：
開關頻率（fSW）：2.4MHz
全負載范圍內的 FCCM
Mesh-ConnectTM倒裝芯片封裝
針對電路板尺寸和 BOM 進行了優化
集成內部功率 MOSFET
集成補償網絡

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