美光科技與力成科技達成HBM2獨家封裝協議 加速高端HBM產能布局
發布時間：2025-5-26 15:00
發布者：eechina
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5月26日消息，臺媒《經濟日報》昨晚援引半導體行業消息人士透露，全球存儲芯片巨頭美光科技（Micron Technology）已與臺灣地區封裝測試龍頭力成科技（Powertech Technology Inc., PTI）簽署獨家合作協議，將HBM2內存的封裝業務全面外包給力成科技。此舉標志著美光在優化全球產能配置、聚焦高端HBM技術領域邁出關鍵一步，而力成科技則借此首次涉足HBM封裝市場，拓展高端封裝技術版圖。 HBM2需求仍存，美光戰略聚焦HBM3E/4 盡管HBM（高帶寬內存）技術已迭代至HBM3E量產、HBM4發布的階段，但市場對成熟產品HBM2（E）的需求仍保持穩定。據業內人士分析，英特爾Gaudi 3系列AI加速器及部分小型芯片企業的定制化AI ASIC仍依賴成本較低的HBM2（E）內存。美光此次將HBM2封裝業務外包，旨在釋放其位于中國臺灣中科先進封裝基地的產能，集中資源攻克價值更高的HBM3E和HBM4技術。 力成科技為承接該訂單，已啟動設備購置計劃。消息稱，相關設備預計于2025年中逐步到位，下半年進入生產驗證階段，年底前啟動小批量試產，2026年實現大規模量產。這一合作將填補力成在HBM封裝領域的空白，并推動其技術能力向高端化升級。 美光全球布局提速，力成產能利用率提升 近年來，美光持續加大在HBM領域的投入。2024年，美光宣布將HBM市場份額目標提升至20%，并計劃在臺灣臺中廠區擴建HBM產能。此次將HBM2封裝業務委外，既是對現有產能的優化，也是為高端HBM量產騰出空間。 力成科技董事長蔡篤恭此前在法說會上透露，公司正持續增加AI相關及HBM封測技術投入，預計2025年第二季度起，與美光的合作將顯著提升其DRAM封測產能利用率。分析人士指出，美光與力成的合作已延續近十年，雙方在DRAM及NAND Flash封裝領域積累了深厚默契，此次合作將進一步鞏固雙方在存儲芯片供應鏈中的協同效應。 行業影響：HBM產能博弈加劇 隨著AI算力需求爆發，HBM已成為存儲芯片廠商爭奪的焦點。TrendForce集邦咨詢數據顯示，2025年HBM價格預計上漲5%-10%，占DRAM總產值比重將超三成。三星、SK海力士等廠商亦在加速擴產，美光通過外包HBM2封裝、聚焦高端技術，有望在競爭中占據先機。 對于力成科技而言，此次合作不僅帶來訂單增量，更標志著其從傳統封裝向先進封裝技術的跨越。力成正通過新建廠房、升級設備等方式，強化在HBM、3D IC等領域的競爭力，以應對存儲芯片市場的高端化趨勢。 市場分析機構指出，隨著AI算力需求持續增長，HBM市場將在未來三年保持高增速。美光與力成的合作能否助力雙方在高端市場實現突破，值得持續關注。 |
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