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【深圳市明佳達電子、星際金華】長期供應及回收原裝庫存器件:
【供應/回收】IC芯片——MSP430FR5724IRGER(16位微控制器MCU),FSBB20CH60C智能功率模塊(IPM),IXFX230N20T(MOSFET 晶體管)。
型號:MSP430FR5724IRGER
封裝:VQFN-24
類型:16位微控制器IC
概述:MSP430FR5724IRGER——8MHz,16位 CPUXV2 MSP430™ FRAM 混合信號微控制器IC
規格參數:
核心處理器:MSP430 CPUXV2
內核規格:16 位
速度:8MHz
I/O 數:17
程序存儲容量:8KB(8K x 8)
程序存儲器類型:FRAM
RAM 大。1K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):2V ~ 3.6V
數據轉換器:A/D 8x10b
振蕩器類型:內部
工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:24-VQFN(4x4)
型號:FSBB20CH60C
封裝:DIP-27
類型:智能功率模塊(IPM)
概述:FSBB20CH60C——600V,20A,Motion SPM®3系列 智能功率模塊(IPM)
產品特性:
使用Al2O3 DBC,實現非常低的熱電阻
內置自舉二極管,可輕松進行PCB布局
600V-20A三相IGBT逆變橋(包含用于柵極驅動和保護的控制IC)
三個獨立負直流鏈路端子,實現逆變器電流檢測應用
單接地電源供電內置HVIC
隔離額定值2500Vrms/min
型號:IXFX230N20T
封裝:TO-247-3
類型:MOSFET 晶體管
概述:IXFX230N20T——200V,230A,N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-3
規格參數:
系列:HiPerFET™, Trench
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):200 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):230A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):7.5 毫歐 @ 60A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5V @ 8mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):378 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):28000 pF @ 25 V
功率耗散(最大值):1670W(Tc)
安裝類型:通孔
供應商器件封裝:PLUS247™-3
封裝/外殼:TO-247-3
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