革命性突破！新型3D芯片技術讓手機更快更省電
發布時間：2025-6-25 17:23
發布者：eechina
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氮化鎵（GaN）僅是次于硅的全球第二大常用半導體材料，其獨特特性使其特別適用于照明、雷達系統和功率電子等領域，但其高昂成本和復雜集成工藝限制了廣泛應用。為解決這一問題，美國麻省理工學院（MIT）聯合多家機構開發了一種創新制造技術，可將氮化鎵晶體管高效集成到標準硅基芯片上，兼具低成本、高性能和兼容現有工藝三大優勢。 該技術的核心是通過精密激光切割將氮化鎵晶圓上的微型晶體管（尺寸僅240×410微米）分離，并利用低溫銅鍵合工藝將其精準集成到硅芯片上。相比傳統金鍵合方案，銅鍵合溫度低于400℃，成本更低，且無需特殊設備。分布式布局還能優化散熱，降低系統整體溫度。 研究團隊基于該技術成功研制出高性能功率放大器，其信號強度和能效顯著優于傳統硅基器件。未來應用至智能手機后，可帶來更快的網絡連接、更長的續航及更清晰的通信質量。此外，該技術兼容現有半導體產線，不僅適用于消費電子升級，還可為量子計算等前沿領域提供硬件支持。氮化鎵在極低溫環境下的性能優于硅材料。 通過融合硅基芯片的成熟工藝與氮化鎵的卓越性能，該技術有望加速5G通信、數據中心及量子技術的發展，重塑電子行業格局。 《賽特科技日報》網站（https://scitechdaily.com） |
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