ASML啟動下一代Hyper NA EUV光刻機研發，瞄準5nm單次曝光技術
發布時間：2025-6-30 08:56
發布者：eechina
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全球半導體設備巨頭ASML近日宣布，已著手研發下一代Hyper NA EUV光刻機，旨在突破現有技術極限，為未來十年的芯片產業提供關鍵支撐。這一新型光刻機的核心目標是通過單次曝光實現5nm級電路圖案分辨率，從而滿足2035年及以后的超先進制程需求，特別是在人工智能、高性能計算和量子芯片等前沿領域。 ASML當前最先進的High NA EUV光刻機已實現單次曝光8nm分辨率，支持3nm至5nm制程的大規模量產。然而，隨著芯片制造工藝向2nm、1.5nm甚至更小節點邁進，現有技術面臨挑戰。Hyper NA EUV的關鍵突破在于數值孔徑（NA）的跨越式提升，目標將NA值從目前的0.55進一步提高至0.7甚至更高，預計分辨率較現有技術提升30%-40%。 數值孔徑的提升意味著光學系統能收集更廣角的光線，從而在晶圓上投射更精細的電路圖案。然而，超高NA光學系統的研發面臨巨大挑戰，包括物鏡直徑的顯著增加、鏡面曲率精度的納米級控制，以及光線折射導致的像差問題。為此，ASML與長期合作伙伴蔡司（Carl Zeiss）展開深度合作，利用后者在高精度光學制造領域的技術積累，共同攻關這一尖端項目。 半導體行業對摩爾定律延續性的焦慮促使ASML加速推進Hyper NA EUV研發。市場預測顯示，到2030年，全球2nm以下制程芯片的需求將激增至先進制程市場的30%以上，而現有High NA EUV技術可能很快觸及分辨率上限。臺積電、三星、英特爾等晶圓巨頭均密切關注Hyper NA EUV的進展，該技術有望成為未來芯片制造的關鍵推動力。 盡管Hyper NA EUV的量產時間尚未最終確定，但ASML的研發步伐已為半導體產業的未來奠定基礎。隨著物理極限的逼近，光刻技術的每一次突破都將深刻影響全球科技產業的競爭格局。 |
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