新思科技和中芯國際推出40納米低漏電工藝DesignWare IP
發布時間：2012-7-11 10:42
發布者：eechina
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新思科技公司（Synopsys）和中芯國際集成電路制造有限公司（中芯國際）宣布，從即日起提供一套豐富的、應用于中芯國際40納米低漏電（40LL）工藝的DesignWare IP。 中芯國際的40LL工藝技術結合了先進的浸沒式光刻、應變工程、超淺結和超低k介質等技術，以便為移動多媒體和消費電子設備提供優化的功耗和性能。 通過提供應用于中芯國際先進低功耗工藝的多樣化的和經過驗證的IP，新思科技和中芯國際將使設計師能夠以更小的風險和更短的上市時間在其系統級芯片上集成更多的功能。自2005年以來，通過新思科技與中芯國際的合作，新思科技帶來了一個豐富的IP產品組合，可支持中芯國際從0.13微米到40納米的工藝技術。 現在已可提供的或計劃將于今年晚些時候提供的、用于中芯國際40LL工藝的新思科技DesignWare IP包括： * 面向各種被廣泛應用的協議的接口IP，如USB 2.0/3.0、PCI Express 2.0/1.1、MIPI、SATA、DDR以及HDMI，可以降低兼容性風險。 * 專為各種高性能、低功耗應用而優化的音頻編解碼器和數據轉換器IP。 * 可使設計師在整個系統級芯片上同時實現高速度和低功耗的嵌入式存儲器和邏輯庫。 “對于那些為中國和全球多媒體消費電子產品設計SoC的公司來說，獲得一系列能應用于一種高性能、低功耗工藝技術的、經過硅驗證的、多樣化的IP產品至關重要�！敝行緡H商務長季克非說，“我們與新思科技的合作可以為針對消費電子市場的設計師提供一條行之有效的路徑，直接通向立足于先進工藝節點之上的、多樣化并且技術領先的IP。新思科技的DesignWare USB、HDMI和音頻編碼解碼器的一次流片成功，同時所有關鍵性能指標達到、甚至超過目標規范，體現了中芯國際40LL技術的穩定性和成熟性�！� “我們與中芯國際的長期合作使我們能夠為系統級芯片設計師提供優化的、可在一系列工藝上廣泛適用的IP，諸如USB、PCI Express 和DDR等一系列用途廣泛的接口協議，以及諸如邏輯庫和嵌入式存儲器等基本單元�！毙滤伎萍糏P和系統營銷副總裁John Koeter說，“此外，我們從0.13微米到65納米的一系列IP都有成功投片的良好記錄。將我們可以提供的IP擴展到中芯國際的40LL工藝，將使設計師能以更低的風險充分利用中芯國際先進的低漏電工藝技術集成高品質的IP�！� 供貨 新思科技現已提供的、用于中芯國際40LL工藝的DesignWare IP包含：DesignWare USB 2.0 picoPHY、HDMI 1.4 TX PHY、DDR multi PHY、MIPI D-PHY、PCI Express 2.0/1.1 PHY、SATA 1.5Gb/s/3Gb/s PHY、SATA 6Gb/s PHY以及精選的音頻編解碼器和數據轉換器IP�？上蛟缙诓捎谜吖┴浀腎P包括：DesignWare USB 3.0 PHY、HSIC PHY、應用于 LTE 和Wi-Fi的數據轉換器和 模擬前端（AFE），以及嵌入式存儲器和邏輯庫IP。DesignWare HDMI RX PHY和DDR3/2 PHY IP計劃于2012年四季度開始供貨。 |
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