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    TPS2491DGSR TI的 熱插拔功率管理器件介紹應用

    發布時間:2013-9-11 09:56    發布者:cup400
    關鍵詞: TPS2491DGSR , TI , 熱插拔 , 功率管理
    TI采用可編程電源與電流限制功能的熱插拔電源管理器TPS2491DGSR,以支持 9 80V 的正壓系統。該款10 引腳的 3 毫米 x 5 毫米新型控制器充分利用了 TI 新的 0.7 微米硅絕緣體模擬工藝 (silicon-on-insulator analog process) ,以確保提供全面的 MOSFET 安全工作區 (SOA) 保護,從而簡化了高壓系統設計。
      
    TPS2490 TPS2491 熱插拔管理器理想適用于支持與保護新興正高壓分布式電源系統,諸如 12V、24V 48V 服務器背板、存儲域網絡、醫療系統、插入模塊以及無線基站等。
    TPS2490和TPS2491器件的可編功率限制特性能保證外接的FET不會工作在所加電壓、電流和時間的SOA以外的區域。在正常工作時,外接的FET以最大的柵源間電壓工作,提供最小的通道電阻。在起動和短路情況下,柵源間電壓進行調整,以提供所限的導通時間,防止外接FET損壞。

    計時器功能限制器件工作在功率限制模式的時間。功率限制電路,監視外接FET的漏極電流和漏源間電壓,計算功耗,控制柵源電壓,防止FET消耗的功率大于用戶編程的水平。當外接的FET漏源間電壓降低時,電路工作在限流模式,防止漏極電流超過用戶編程水平。


    功率限制型控制器的簡化原理電路圖

    支持高壓功能的 LBC-SOI 模擬工藝
      
    TI 的新型 0.7 μm LBC-SOI 厚銅工藝 (thick copper) 主要采用業界最尖端的制造工藝,目的在于滿足未來高壓電源系統與高性能模擬產品的需求。110V 模擬工藝通過高級溝槽隔離技術顯著簡化了設計過程。LBC-SOI 工藝可使 TI獲得數項競爭優勢,其中包括更高的封裝密度、更小的寄生電容、內置閉鎖抗擾度 (latch-up immunity) 以及消除基板電流的能力。

    主要特性包括:

    · 可編程電源限制與電流限制;
    · 廣泛的工作電壓范圍:+9V +80V(最高為 100 V);
    · 高側驅動器,用于低 RDS (on) 外部 N 通道 MOSFET;
    · 鎖定操作 (TPS2490) 與自動重試功能 (TPS2491);
    · 快速電流限制,以便在輸出短路時保護輸入分配;
    · 可編程故障定時器,以消除煩瑣的關機過程;
    · 良好的電源開漏輸出 (Power Good Open-Drain Output),可提供下游 DC/DC 協調功能;
    · 極高的準確度 (+/- 10%);
    · 可編程欠壓封鎖/邏輯,允許源極低壓關機或系統級邏輯控制,更多datasheet見:http://www.ameya#/product-TPS2491DGSR-Texas%20Instruments-price-stock-datasheet-PDF-4125be4dc8ab4b479fd5cc3b59918324.html

    用TPS2491DGSR為BOOST電路提供輸出短路、過流保護介紹分析

    眾所周知,BOOST電路是一種開關直流升壓電路,為低壓轉高壓的共地電路,當輸出過流時,輸出電壓會緩慢下降,但過流點會隨著輸入電壓升高而變大。當輸出短路時,輸入電源會通過電感、升壓二極管形成短路回路,導致電源故障。BOOST電路還有一個缺陷是不方便控制關閉輸出,不像BUCK電路,很方便的將輸出電壓降到0V。
    這是一款用了TPS2491熱插拔保護芯片的升壓電路,帶有輸出過流短路保護,當遙控端CTL接地時,電源進入待機模式,輸出為零。

    參數設定分幾步:
    1) 過流采樣電阻:
    RS= 0.05/(1.2×IMAX),取值33mΩ,過流動作點為1.5A左右。
    2) MOSFET的選型
    l 耐壓要大于輸入電壓和瞬態過沖,并放一定余量;
    l 選擇RDSONMAX
    RDSON(MAX) ≤(TJ(MAX)-TA(MAX))/(RθJA×I2MAX)
    TJ(MAX)  一般取125℃,熱阻RθJA取決于管子的封裝、散熱的方式。
    3) 選擇MOSFETPLIM
    MOSFET在啟動或輸出短路時會有極大的功率消耗,限制PLIM可以保護管子防止溫度過高燒毀。通過3PROG電壓的調節,設定PLIM的大小。
    PLIM ≤0.7×﹛TJ(MAX)2-[﹙I2MAX×RDSON×RθCA ﹚+TA(MAX)] ﹜/ RθJC
    TJ(MAX)2一般取150℃,RDSON 為MOSFET最高工作溫度時的導通電阻。
    VPROG =PLIM/(10×ILIM)
    VPROG =VREF×R10/(R9+R10),VREF為4V
    4) 選擇CT
    選擇合適的電容,保證輸出啟動時能完成輸出電容的充電且不引起故障保護的動作。
    5) 選擇使能啟動電壓
    EN端啟動電壓為1.35V,關閉電壓為1.25V。利用此引腳,可以做輸入欠壓保護;用NTC做分壓電阻,可以做為電源的過熱保護。
    6) 其他參數
    l GATE驅動電阻,為了抑制高頻振蕩,通常取10Ω;
    l PG端上拉電阻,保證吸收電流小于2mA;
    l Vcc端旁路電容,取0.001 uF~ 0.1 uF。
    使用總結:
    l TPS2491是輸出可自恢復型,如果希望能保護關斷型,可采用TPS2490。
    l EN端電壓在1.5V以下且大于1.25V時,芯片工作經常不正常,驅動電壓只有2~3V,MOSFET工作于線性區,導致過熱燒毀。

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    tony02778 發表于 2013-9-11 17:26:18
    謝謝
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