閃迪發布48層3D NAND閃存，有望在2015年下半年投入試生產
發布時間：2015-3-31 14:37
發布者：eechina
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閃迪公司（SanDisk）近日宣布成功開發出48層第二代3D NAND閃存（亦稱為BiCS2）。 計劃于2015年下半年在位于日本四日市的合資工廠內投入試生產，于2016年進行規�；虡I生產。 閃迪存儲技術部執行副總裁Siva Sivaram博士表示：“我們非常高興能夠發布第二代3D NAND，它是一種48層架構，與我們的合作伙伴Toshiba共同研發。 我們以第一代3D NAND技術為基礎，完成了商業化的第二代3D NAND的開發；我們相信，它將為我們的客戶提供讓人贊嘆的存儲解決方案�！� 閃迪計劃將第二代3D NAND技術廣泛地應用于各種解決方案中，范圍涵蓋可移動產品到企業級SSD。 |
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