<var id="fnfpo"><source id="fnfpo"></source></var>
<rp id="fnfpo"></rp>

<em id="fnfpo"><object id="fnfpo"><input id="fnfpo"></input></object></em>
<em id="fnfpo"><acronym id="fnfpo"></acronym></em>
  • <th id="fnfpo"><track id="fnfpo"></track></th>
  • <progress id="fnfpo"><track id="fnfpo"></track></progress>
  • <tbody id="fnfpo"><pre id="fnfpo"></pre></tbody>

  • RF化合物半導體市場規模將在2021年達到110億美元

    發布時間:2017-3-15 20:02    發布者:eechina
    關鍵詞: GaN , RF化合物 , 磷化銦 , InP , 氮化鎵
    隨著數據流量不斷增長,市場對設備的要求越來越高,RF應用中的化合物半導體收益將會不斷增長

    Strategy Analytics高級半導體應用(ASA)服務發布的最新報告《RF化合物半導體預測及展望:2016-2021》指出,RF化合物半導體市場規模將在2022年超過110億美元,GaAs設備將不會是增長驅動因素。無線應用是GaAs設備收益增長的主要驅動力,但該RF細分市場將會停滯不前。取而代之的是,收益增長將會來自于大量使用磷化銦(InP)、氮化鎵(GaN)和硅鍺(SiGe)。

    Strategy Analytics高級半導體應用服務總監Eric Higham表示,“GaAs仍將主宰RF技術,但設備收益在該應用中會保持平穩。無線市場的放緩將為其他RF化合物半導體器件技術和額外的細分市場打開大門,真正推動收入增長”。

    Strategy Analytics高級防御系統服務總監Asif Anwar表示,“航空和國防市場將會是GaAs設備收益的亮點。在該細分市場中,GaAs和GaN設備被越來越多的使用,這將大大推動RF化合物半導體的收益增長!

    本文地址:http://www.portaltwn.com/thread-356986-1-1.html     【打印本頁】

    本站部分文章為轉載或網友發布,目的在于傳遞和分享信息,并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責;文章版權歸原作者及原出處所有,如涉及作品內容、版權和其它問題,我們將根據著作權人的要求,第一時間更正或刪除。
    您需要登錄后才可以發表評論 登錄 | 立即注冊

    廠商推薦

    • Microchip視頻專區
    • Dev Tool Bits——使用MPLAB® Discover瀏覽資源
    • Dev Tool Bits——使用條件軟件斷點宏來節省時間和空間
    • Dev Tool Bits——使用DVRT協議查看項目中的數據
    • Dev Tool Bits——使用MPLAB® Data Visualizer進行功率監視
    • 貿澤電子(Mouser)專區
    關于我們  -  服務條款  -  使用指南  -  站點地圖  -  友情鏈接  -  聯系我們
    電子工程網 © 版權所有   京ICP備16069177號 | 京公網安備11010502021702
    快速回復 返回頂部 返回列表
    精品一区二区三区自拍图片区_国产成人亚洲精品_亚洲Va欧美va国产综合888_久久亚洲国产精品五月天婷