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意法半導體與遠創達簽署LDMOS技術許可合作協議

發布時間：2018-2-26 15:43 發布者：eechina

關鍵詞： LDMOS , 射頻功率 , 功率放大器

意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）今天宣布與遠創達科技公司簽署一份LDMOS 射頻功率技術許可協議。遠創達是一家總部位于中國蘇州的無晶圓廠的半導體公司，專業設計制造射頻功率半導體產品、模塊和子系統集成。

導電通道短且擊穿電壓高使LDMOS器件適用于無線通信系統基站射頻功率放大器以及商用和工業系統的功率放大器。意法半導體與遠創達的合作協議將擴大意法半導體LDMOS產品的應用范圍。

協議內容保密，不對外披露。

本文地址：http://www.portaltwn.com/thread-523106-1-1.html 【打印本頁】

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