Littelfuse推出超低導通電阻1200V碳化硅MOSFET
發布時間：2018-3-16 10:54
發布者：eechina
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該產品旨在超越硅MOSFET和IGBT的性能，在電源轉換系統中實現超快切換 Littelfuse, Inc.與從事碳化硅技術開發的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出兩款1200V碳化硅(SiC) n通道增強型MOSFET，為其日益擴展的第一代電源半導體器件組合注入新鮮血液。 Littelfuse與Monolith在2015年結成戰略合作關系，旨在為工業和汽車市場開發電源半導體。這種新型碳化硅MOSFET即為雙方聯手打造的最新產品。 這些產品在應用電力電子會議（APEC 2018）的Littelfuse展位亮相。 
LSIC1MO120E0120
LSIC1MO120E0160 LSIC1MO120E0120和LSIC1MO120E0160碳化硅MOSFET具有超低導通電阻(RDS(ON))，分別僅為120毫歐姆和160毫歐姆。 這些碳化硅MOSFET可在各種電力轉換系統中用作電源半導體開關，其在阻斷電壓、特征導通電阻和結電容方面的性能顯著優于其他硅MOSFET。 其還兼具高工作電壓和超高切換速度，這是具有類似額定電流和封裝的硅IGBT等傳統功率晶體管方案所無法企及的。 這些新型碳化硅MOSFET的典型應用包括： • 電動汽車 • 工業機械 • 可再生能源（如太陽能逆變器） • 醫療設備 • 開關式電源 • 不間斷電源（UPS） • 電機驅動器 • 高壓DC/DC轉換器 • 感應加熱 “這些新型碳化硅MOSFET為電源轉換器設計師提供了傳統硅基晶體管的先進替代選擇�！盠ittelfuse電源半導體產品營銷經理Michael Ketterer表示， “其固有的材料特性和超快速切換能力提供了各種優化設計的機會，包括提高功率密度、提高效率和降低物料成本的可能性�！� 新型1200V碳化硅MOSFET具有以下關鍵優勢： • 從系統層面減少的無源濾波器組件數量有助于提高功率密度，為高頻高效應用打造優化設計。 • 極低的柵極電荷和輸出電容結合超低導通電阻可最大限度地減少功率耗散，提高效率并降低所需冷卻技術的規模和復雜性。 供貨情況 LSIC1MO120E0120和LSIC1MO120E0160碳化硅MOSFET采用TO-247-3L封裝，提供450只裝管式包裝。 您可通過全球各地的Littelfuse授權經銷商索取樣品。 如需了解Littelfuse授權經銷商名錄，請訪問littelfuse.com。 更多信息 可通過以下方式查看更多信息： LSIC1MO120E0120 和 LSIC1MO120E0160 碳化硅MOSFET產品頁面。 如有技術問題，請聯系：Littelfuse電源半導體產品營銷經理Michael Ketterer： [url=]mketterer@littelfuse.com[/url]. |
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