Cypress存取時間為10納秒的異步SRAM
發布時間：2020-11-13 16:07
發布者：宇芯電子
|
Cypress 16兆字節快速異步SRAM﹐其存取時間小于10ns。異步SRAM內含l億多個晶體管﹐采用6個晶體管存儲單元﹐是該公司4兆字節快速異步SRAM的后續產品.Cypress負責這種新SRAM設計流程中﹐從概念設計到交付生產的每一個階段。第一塊硅片已初步定型﹐最初結果顯示存取時間將遠低于10ns .該設計是用0.16微米CMOS工藝實現的﹐芯片的面積超過120000平方密耳。 盡管該公司早先的異步SRAM設計是使用高電壓晶體管實現的﹐但是新的SRAM采用雙電壓晶體管和雙柵氧化物工藝﹐因而只使用低壓晶體管﹔所以降低了芯片成本。然而該器件仍能承受高電壓。在雙柵氧化物實現過程中﹐芯片的一部分留給了高壓晶體管﹔諸如調節電路﹑加電復位電路和輸入輸出緩沖器等均使用高壓晶體管來實現﹐而在新SRAM中所有晶體管都是低壓晶體管。設計師們采用了一些耐高壓技術﹐其中包括將晶體管級聯起來﹐以使加到晶體管的柵極―源級電壓都不超過2.5V. 為保證更快的存取時間﹐新SRAM的一個關鍵設計目標是不管外部Vcc如何變化﹐都能確保芯片上的Vcc保持恒定不變。如果芯片的外部Vcc發生變化﹐例如從2.2V變為3.8V﹐芯片的內部Vcc則僅為2V。如果外部Vcc從2.2V變化到4V﹐該芯片則保持相同的存取時間。用0.16微米CMOS工藝制造SRAM這一決定也要求采用低壓技術。在線寬為0.16微米時不可能使用高壓技術﹐因為你要將--切都縮小,一旦你縮小了柵極氧化物﹐你就得降低供電電壓﹐這樣你就需要一個穩壓器。cypress代理宇芯電子提供驅動例程等產品解決方案。 |
網友評論