為您的設計選擇正確的內存解決方案
發布時間：2021-7-27 16:55
發布者：英尚微電子
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內存被視為一種必要的技術，然而工廠自動化、自動駕駛汽車、便攜式醫療設備、邊緣計算和物聯網傳感器等新應用正在迫使性能要求發生變化。因此用于評估和選擇特定應用程序內存的標準也發生了變化。 NAND、NOR和FRAM在各種應用中都有不同的優勢。由于這些解決方案中的每一個都有針對特定目標應用程序的獨特功能集，因此確定哪種類型的內存解決方案可為所需應用程序提供最佳性能和可靠性非常重要。數據中心、計算機和消費設備中的海量存儲需要最高的密度和最低的每比特成本，通常由NAND閃存支持。嵌入式計算機存儲啟動代碼和事務數據，通常在NORFlash中可用。數據記錄器、傳感器和邊緣計算機在長時間內捕獲快速變化的數據使用專門的技術，例如鐵電RAM(FRAM)。 讓我們看看哪些內存與這些工作負載相匹配： NAND閃存 NAND FLASH常見于數據中心、云服務器和消費設備中。它的高密度使其成為這些任務的理想選擇，并且由于更好的工藝和幾何收縮，技術得到了改進。每GB成本繼續下降，讀/寫性能繼續表現良好。但是這種解決方案也存在一定的局限性：每個編程/擦除周期都會對單元的小尺寸造成壓力，從而降低其耐用性，并且尺寸也意味著大約10年的數據保留時間低于其他內存解決方案。 NOR閃存 NOR Flash具有用于保留長數據的大型存儲單元和字節可尋址架構，因此非常適合用于引導代碼，其中包括就地執行系統和事務數據。NOR可靠且易于使用，其最新改進為故障安全操作提供功能安全和安全啟動工具。對于汽車儀表盤和其他功能，NOR可以支持快速讀取和即時啟動功能。但是NOR密度低于NAND。 FRAM內存 FRAM非常適合需要通過使用較少的功率長時間連續捕獲數據的設備。存儲單元交替極性，使用最少的能量來延長電池壽命并提供近乎無限的耐用性。FRAM還消除了能量或電荷泄漏問題，因此數據保留至少可以持續100年。與普遍看法相反，FRAM不會被磁場干擾；然而它的密度無法支持編碼和海量存儲需求。 歸結為：選擇合適的內存有助于確保產品的成功。NAND閃存非常適合云計算和個人電子產品中常見的海量存儲工作負載。相比之下，NOR Flash和FRAM適用于嵌入式系統和邊緣設備，它們通常位于極端和偏遠的環境中。隨著邊緣計算的發展，人工智能的進步正在推動新功能的發展，并提高對提高故障安全操作標準的需求，這反過來迫使制造商提供具有安全和安保功能的NOR Flash和FRAM。內存存儲芯片供應商英尚微電子可提供產品相關技術支持. |
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