英飛凌推出采用PQFN 2x2封裝的OptiMOS 5 25 V 和 30 V功率MOSFET，樹立技術新標準
發布時間：2022-3-14 19:35
發布者：eechina
英飛凌科技股份公司近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOS 5 25 V和30 V功率MOSFET產品系列，旨在為分立功率MOSFET技術樹立全新的行業標準。這些新器件采用薄晶圓技術和創新的封裝，尺寸極小，卻具有顯著的性能優勢。OptiMOS 5 25 V和30 V功率MOSFET產品系列已針對服務器、通訊、便攜式充電器和無線充電等SMPS應用中的同步整流進行了優化。這些功率MOSFET還可在無人機中，應用于小型無刷電機的ESC(電子速度控制)模塊。眾所周知，無人機通常需要尺寸小、重量輕的元器件。
這些領先的功率MOSFET器件采用PQFN 2x2封裝，具備更高的功率密度、小巧的外形尺寸以及業界極低的導通電阻，能夠進一步降低能耗。2 x 2 mm2的小尺寸封裝，為PCB布局布線提供了更高的靈活性。此外，該解決方案還具有出色的電氣性能，可進一步提高終端應用的功率密度，縮小外形尺寸。同時，系統溫度的降低、性能的提升，也讓熱管理變得更加輕松。這些特性有助于實現更小巧的客戶應用，充分節省空間、降低系統成本，打造易于設計的產品。 供貨情況 采用PQFN 2x2封裝的OptiMOS 5 25 V和30 V功率MOSFET產品系列現已上市： • PQFN 2x2 25 V: 2 x 2 mm2, RDS(on) 2.4 mΩ (ISK024NE2LM5) • PQFN 2x2 30 V: 2 x 2 mm2, RDS(on) 3.6 mΩ (ISK036N03LM5) 更多信息，敬請訪問25 V/30 V OptiMOS 5。 了解英飛凌為提升能源效率所做出的貢獻，請訪問：www.infineon.com/green-energy。 |
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