Netsol MRAM非易失存儲芯片是數據記錄應用的優選
發布時間：2023-3-22 17:24
發布者：英尚微電子
關鍵詞：
Netsol MRAM , MRAM
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數據記錄是如下持續、反復地將重要數據保存于設備的過程。 –系統內外部發生的事件 –使用歷史 –環境參數 –機器狀態 –用于分析目的的其他數據 因需要持續、反復地保存數據，內存需要快速的寫入速度與高耐久性。英尚微提供的非易失性存儲芯片NETSOL MRAM的主要優勢包括:與SRAM不同，無需電壓控制器、電池及電池插座；與nvSRAM不同，無需電容器；寫入速度快；近乎無限的耐用性（100兆次的寫入次數）；斷電即時數據備份。 Netsol MRAM 具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要快速存儲和搜索數據和程序的應用程序來說，是最合適的內存。適用于工業設備中的代碼存儲、數據記錄、備份和工作存儲器�？商娲鶱OR Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。 |
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