四川美闊推出：65W-1A2C接口氮化鎵（GaN)PD快充電源方案
發布時間：2023-4-7 09:35
發布者：liao775a
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65W快充是目前快充市場出貨的主流規格；氮化鎵具有高可靠性，能夠承受短時間過壓；將GaN用于充電器的整流管后，能降低開關損耗和驅動損耗，提升開關頻率，附帶地降低廢熱的產生，進而減小元器件的體積同時能提高效率。 
近期美闊電子推出了一款全新的氮化鎵65W（1A2C）PD快充充電器方案，該方案采用同系列控制單晶片：QR一次側控制IC驅動MTCD-mode GaN FET(MGZ31N65-650V)、二次側同步整流控制IC及PD3.0協議IC)可達到適優匹配。 1A2C-65W氮化鎵（GaN）快充方案，快充方案支持90~264V寬輸入電壓，輸出支持5V/3A，9V/3A，12V/3A，15V/3A，20V/3.25A，內置MGZ31N65-650V氮化鎵開關管；采用PD3.0協議IC。 該方案能夠有效降低寄生參數對高頻開關的影響，獲得更高的轉換效率和更優秀的可靠性；實現“更高效率，更大功率，更小體積，更低發熱�！辈捎昧酥悄軠乜丶夹g做到了“大功率下更小體積、更好溫控”支持多種充電模式，對不同的設備功率略有不同，USB-C接口實際較大輸出功率為65W。 一、方案概述： 尺寸設計：60mm*60mm*30mm 輸出規格：5V/3A, 9V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A 輸入電壓：90-264 Vac @ 60/50Hz 輸出接口：USB-PD C型式,A型式 低待機功耗：空載損耗低于50mW 高效率：輸出20V重載時可達91.62%效率及功率密度可達1.5W/cm3 供電范圍：二次側同步整流控制IC及PD3.0協議IC 二、優勢： 返馳式谷底偵測減少開關損失 輕載Burst Mode增加效率 較佳效能可達91% 空載損耗低于50mW 控制IC可支持頻率高達160 kHz 系統頻率有Jitter降低EMI干擾 控制IC可直接驅動GaN 進階保護功能如下： (1) VDD過電壓及欠電壓保護 (2) 導通時較大峰值電流保護 (3) 輸出過電壓保護 (4) 輸出短路保護 可輸出65W功率
GaN/氮化鎵 - MGZ31N65的特性：650V, 6.5A, RDS (on)(typ.)= 250mΩ@VGS = 8V；非常低的QRR；減少交叉損失；符合RoHS標準和無鹵素要求的包裝。支持2MHz開關頻率，采用8*8mm QFN封裝，節省面積。 MGZ31N65芯片內部集成650V耐壓，250mΩ導阻的氮化鎵開關管；內置驅動器以及復雜的邏輯控制電路;支持輸出過壓保護，支持變壓器磁飽和保護，支持芯片供電過壓保護，支持過載保護，支持輸出電壓過壓保護，支持片內過熱保護，支持電流取樣電阻開路保護，具有低啟動電流。 GaN/氮化鎵作為第三代半導體材料經常被用在PD快充里面；氮化鎵（GaN）擁有極高的穩定性，將GaN用于充電器的整流管后，能降低開關損耗和驅動損耗，提升開關頻率，附帶地降低廢熱的產生，進而減小元器件的體積同時能提高效率。 四川美闊在GaN/氮化鎵領域頗有建樹，技術以及產品方面已經很完善，如果想了解更多GaN/氮化鎵的技術資料，歡迎致電聯系：133 9280 5792(微信同號)
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