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    Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二極管，提升開關電源設計能效和可靠性
    


    
    
    
發布時間：2023-5-23 19:31    
發布者：eechina

    


    

    


    關鍵詞：
    碳化硅    , SiC    , 肖特基二極管
    


    
 

    

    
器件采用MPS結構設計，額定電流4 A~ 40 A，正向壓降、電容電荷和反向漏電流低
    

    
Vishay推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）結構設計，具有高浪涌電流保護能力，正向壓降、電容電荷和反向漏電流低，有助于提升開關電源設計能效和可靠性。
    

    









    

    
日前發布的新一代SiC二極管包括4A至40A器件，采用TO-22OAC 2L和TO-247AD 3L 插件封裝和D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面貼裝封裝。由于采用MPS結構，器件正向壓降比上一代解決方案低0.3V，正向壓降與電容電荷乘積，即電源能效重要優值系數（FOM），相比上一代解決方案降低17%。
    

    
與接近的競品解決方案相比，二極管室溫下典型反向漏電流低30%，高溫下低70%。因此降低了導通損耗，確保系統輕載和空載期間的高能效。與超快恢復二極管不同，第三代器件幾乎沒有恢復拖尾，從而能夠進一步提升效率。
    

    
與擊穿電壓相當的硅二極管相比，SiC二極管熱導率高，反向電流低，反向恢復時間短。二極管反向恢復時間幾乎不受溫度變化的影響，可在+175 C高溫下工作，不會因開關損耗造成能效變化。
    

    
器件典型應用包括發電和勘探應用領域FBPS和LLC轉換器中的AC/DC功率因數校正（PFC）和 DC/DC超高頻輸出整流。器件具有高可靠性，符合RoHS標準，無鹵素，通過2000小時高溫反偏（HTRB）測試和2000次熱循環溫度循環測試，測試時間和循環次數是AEC-Q101規定的兩倍。
    

    

    

      
    產品編號
      
    IF(AV)  (A)
    IFSM  (A)
    IF  下VF (V)
    QC  (nC)
    配置
    封裝
    4
    29
    1.5
    12
    單
    D2PAK  2L
    6
    42
    1.5
    17
    單
    D2PAK  2L
    8
    54
    1.5
    22
    單
    D2PAK  2L
    10
    60
    1.46
    29
    單
    D2PAK  2L
    12
    83
    1.5
    34
    單
    D2PAK  2L
    16
    104
    1.5
    44
    單
    D2PAK  2L
    20
    110
    1.5
    53
    單
    D2PAK  2L
    4
    29
    1.5
    12
    單
    TO-220AC 2L
    6
    42
    1.5
    17
    單
    TO-220AC 2L
    8
    54
    1.5
    22
    單
    TO-220AC 2L
    10
    60
    1.46
    29
    單
    TO-220AC 2L
    12
    83
    1.5
    34
    單
    TO-220AC 2L
    16
    104
    1.5
    44
    單
    TO-220AC 2L
    20
    110
    1.5
    53
    單
    TO-220AC 2L
    2 x 8
    54
    1.5
    22
    共陰極
    TO-247AD 3L
    2 x 10
    60
    1.46
    29
    共陰極
    TO-247AD 3L
    2 x 20
    110
    1.5
    53
    共陰極
    TO-247AD 3L

    

    
新型SiC二極管現可提供樣品并已實現量產，供貨周期為八周。
    

    

    



    

    

    


    

    

    		




    



    
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Eways-SiC 發表于
2023-5-24 15:58:59

    

    

    

    
碳化硅MOS耐壓650V-1200V-1700V-3300V 國產https://pan.baidu.com/s/1CDHqtHi3UZ0gTD4qqppY0A提取pvgr
    



    

    

    


    

    

    

    




    

    

    


    




    

    





    

    

    

    

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