<var id="fnfpo"><source id="fnfpo"></source></var>
<rp id="fnfpo"></rp>

<em id="fnfpo"><object id="fnfpo"><input id="fnfpo"></input></object></em>
<em id="fnfpo"><acronym id="fnfpo"></acronym></em>
  • <th id="fnfpo"><track id="fnfpo"></track></th>
  • <progress id="fnfpo"><track id="fnfpo"></track></progress>
  • <tbody id="fnfpo"><pre id="fnfpo"></pre></tbody>

  • x
    x

    東科半導體與北京大學成立第三代半導體聯合研發中心

    發布時間:2023-9-20 10:05    發布者:eechina
    關鍵詞: 北京大學 , 第三代半導體 , 東科半導體
    來源:大半導體產業網

    據東科半導體官微消息,日前,東科半導體與北京大學共同組建的第三代半導體聯合研發中心正式揭牌成立。

    據悉,北大-東科第三代半導體聯合研發中心將瞄準國家和產業發展全局的創新需求,以第三代半導體氮化鎵關鍵核心技術和重大應用研發為核心使命,重點突破材料、器件、工藝技術瓶頸,增強東科半導體在第三代半導體技術上的創新能力和市場主導力。

    資料顯示,東科半導體作為國內最先研發布局氮化鎵芯片研究的企業,國內首創合封氮化鎵電源管理芯片,其產品性能指標等同或部分超出國外同類產品,并以高性能、高可靠性和低功耗等特性被市場廣泛認可,實現國產替代。

    東科半導體表示,氮化鎵芯片將在繼續深耕快充等消費電子細分領域市場的同時,進一步拓展進入通信、工業電源、光伏、新能源等眾多產業領域,為推進芯片國產化進程不斷前行。

    本文地址:http://www.portaltwn.com/thread-841179-1-1.html     【打印本頁】

    本站部分文章為轉載或網友發布,目的在于傳遞和分享信息,并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責;文章版權歸原作者及原出處所有,如涉及作品內容、版權和其它問題,我們將根據著作權人的要求,第一時間更正或刪除。
    您需要登錄后才可以發表評論 登錄 | 立即注冊

    廠商推薦

    • Microchip視頻專區
    • 想要避免發生災難,就用MPLAB SiC電源仿真器!
    • 你仿真過嗎?使用免費的MPLAB Mindi模擬仿真器降低設計風險
    • 我們是Microchip
    • Cortex-M4外設 —— TC&TCC結合事件系統&DMA優化任務培訓教程
    • 貿澤電子(Mouser)專區
    關于我們  -  服務條款  -  使用指南  -  站點地圖  -  友情鏈接  -  聯系我們
    電子工程網 © 版權所有   京ICP備16069177號 | 京公網安備11010502021702
    快速回復 返回頂部 返回列表
    精品一区二区三区自拍图片区_国产成人亚洲精品_亚洲Va欧美va国产综合888_久久亚洲国产精品五月天婷