兆易創新：憑借新一代存儲產品走向C位
發布時間：2023-10-12 13:02
發布者：eechina
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存儲器制造是半導體產業的重要組成部分，也往往是一個國家發展半導體產業的起點。 兆易創新就是以存儲器為起點的半導體公司。2009年，兆易創新推出了第一顆SPI NOR Flash。14年后，其存儲器市場占有率不斷提升，SPI NOR Flash已經連續十年排名前三，目前已經超過了20%。 在第11屆EEVIA年度中國硬科技媒體論壇暨產業鏈研創趨勢展望研討會上，兆易創新Flash 事業部產品市場經理張靜介紹說，兆易創新的存儲產品已經擴大到27大產品系列、16種產品容量、4個電壓范圍、7款溫度規格、29種封裝方式，可以滿足各類應用對全容量、高性能、低功耗、小封裝的需求。 車規產品 最初，兆易創新只能提供耐溫最高85℃的產品�，F在兆易創新不但擴展了工規的85℃產品線，而且可以支持車規125℃等級。 高容量 十年前，兆易創新NOR Flash產品的容量僅128Mb。如今其NOR Flash的容量最大可達2Gb，完全覆蓋市場對Flash的所有容量需求。 大帶寬 雖然NOR Flash支持代碼片上運行，但大部分應用會把代碼加載到處理器RAM上去運行。隨著物聯網、可穿戴、汽車電子等新興領域的發展，更多客戶希望在Flash中直接運行代碼，這樣可以節省寶貴的RAM內存空間，從而降低系統成本。這就要求提高數據傳輸速率，做到及時響應以保證流暢的用戶體驗。針對此需求，兆易創新推出的高性能四口NOR Flash產品的傳輸速率可達每秒200Mb，八口的產品則達到每秒400Mb。 低電壓、低功耗 低電壓、低功耗是電子產品發展的趨勢，目的是節省能源、降低散熱并節省系統成本。 兆易創新推出了幾種供電電壓方案來滿足不同的應用需求，包括3V、1.8V、寬電壓的1.65-3.6V，再到更低的1.2V。 隨著半導體工藝節點來到7nm以下，SoC的工作電壓降低到1.2V，外圍的Flash也要適應這種變化。如果核心供電為1.2V的SoC和1.8V的SPI NOR Flash通信，SoC需要增加升壓電路，將內部1.2伏電壓提升到1.8伏來匹配外部SPI NOR Flash的電壓水平，這就增加了電路設計的復雜度。為此，兆易創新推出了更低電壓的1.2V產品。 然而，1.2V的NOR Flash擦寫性能會有所降低。因此，兆易創新推出了1.2V VIO方案：核心電壓依然是1.8V，但IO接口的電壓降低到1.2V，這樣它與SoC就可以無需電壓轉換而直接通信�？梢哉f，1.2V VIO方案是兼顧高性能和低功耗兩種需求下最理想的Flash解決方案。 多種封裝 在電子產品小型化趨勢下，Flash也朝著小封裝、大容量的方向發展。為此，兆易創推出了業界首顆1.2×1.2的USON6封裝形式，它易于焊接和封裝，比較耐用。還有WLCSP封裝，封裝尺寸與裸片相當，多用于穿戴式等消費電子產品。 大容量產品方面，兆易創新推出了業界最小尺寸的3mm×2mm FO-USON 8封裝64兆產品，它與USON 3mm×2mm的封裝完全兼容，無需更新PCB，而體積減少了70%。在128Mb的容量上，兆易創新推出了業界最小尺寸的FO-USON8 3mm×3mm封裝，與主流的USON8 6mm×5mm相比，減少了85%的占用空間。 總之，經過十四年的不懈努力，兆易創新的產品技術得到了極大的豐富提高，成為了一個業界舉足輕重的存儲器產品供應商。 |
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