安森美發布升級版功率模塊，助力太陽能發電和儲能的發展
發布時間：2024-8-28 19:45
發布者：eechina
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硅與碳化硅混合解決方案在減少尺寸的同時，將輸出功率提高了15% 安森美（納斯達克股票代號：ON ）推出采用 F5BP 封裝的最新一代硅和碳化硅混合功率集成模塊 (PIM)，非常適合用于提高大型太陽能組串式逆變器或儲能系統 (ESS)的功率。與前幾代產品相比，這些模塊在相同尺寸下提供了更高的功率密度和效率，將太陽能逆變器的總系統功率從 300 kW提高到 350 kW。這意味著，使用最新一代模塊的裝機容量為一千兆瓦的大型太陽能發電場，每小時可實現近兩兆瓦的節能效果，相當于每年為超過 700 戶家庭供電。此外，要達到與上一代產品相同的功率，所需的模塊數量更少，可將功率器件的元器件成本降低 25% 以上。 
由于太陽能發電的平準化能源成本（LCOE）最低，太陽能正日益成為全球可再生能源發電的首選。為了彌補太陽能發電的不穩定性，公用事業運營商也在增設大型電池儲能系統（BESS），以確保電網的穩定供能。為了支持這種系統組合，制造商和公用事業公司需要能夠提供最高效率和可靠電力轉換的解決方案。每提高 0.1% 的效率，對于每千兆瓦裝機容量，每年可節省 25 萬美元的運營成本。 “作為一種依賴陽光的波動性能源，我們需要不斷提高系統效率和可靠性，并采用先進儲能解決方案，以確保全球電網在電力需求高峰期和非高峰期的穩定性和可靠性�！卑采离娫捶桨甘聵I群工業電源部副總裁 Sravan Vanaparthy 表示，“更高效的基礎設施會促進采用，并確保隨著更多太陽能發電設施的建成，減少能源浪費，推動我們在擺脫化石燃料的道路上不斷前進�！� F5BP-PIM集成了1050V FS7 IGBT和1200V D3 EliteSiC二極管，實現高電壓和大電流轉換的同時降低功耗并提高可靠性。FS7 IGBT 關斷損耗低，可將開關損耗降低達 8%，而EliteSiC二極管則提供了卓越的開關性能，與前幾代產品相比，導通壓降（VF）降低了15%。 這些PIM包含了一種創新的I型中點箝位（INPC）拓撲結構的逆變器模塊和飛跨電容拓撲結構的升壓模塊。這些模塊還使用了優化的電氣布局和先進的直接銅鍵合（DBC）基板，以降低雜散電感和熱阻。此外，銅基板進一步將結到散熱片的熱阻降低了9.3%，確保模塊在重載下保持冷卻。這種熱管理對于保持模塊的效率和使用壽命至關重要，使其在需要可靠和持續供電的苛刻應用中非常有效。 更多信息 白皮書：克服碳化硅的挑戰以確保應用成功 |
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