SEMI報告：未來三年全球半導體行業計劃在300mm晶圓廠設備上投資4000億美元
發布時間：2024-9-29 09:55
發布者：eechina
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來源：SEMI中國 9月26日，SEMI發布《300mm晶圓廠2027年展望報告（300mm Fab Outlook Report to 2027）》指出，從2025年到2027年，全球300mm晶圓廠設備支出預計將達到創紀錄的4000億美元。強勁的支出是由半導體晶圓廠的區域化以及數據中心和邊緣設備對人工智能（AI）芯片日益增長的需求推動的。 2024年，全球300mm晶圓廠設備支出預計將增長4%，達到993億美元，到2025年將進一步增長24%，首次突破1000億美元，達到1232億美元。預計2026年支出將增長11%，達到1362億美元，2027年將增長3%，達到1408億美元。 SEMI總裁兼首席執行官Ajit Manocha表示：“2025年全球300mm晶圓廠設備支出的預期增長幅度為創紀錄的三年半導體制造投資奠定了基礎。全球芯片需求正在推動設備支出，包括人工智能應用的前沿技術和由汽車和物聯網應用驅動的成熟技術�！� 
區域增長 預計到2027年，中國將保持其作為全球300mm設備支出第一的地位，未來三年將投資超過1000億美元。然而，預計投資將從2024年的450億美元峰值逐漸減少到2027年的310億美元。 預計韓國將排名第二，未來三年將投資810億美元，以進一步鞏固其在DRAM、HBM和3D NAND等存儲領域的主導地位。預計中國臺灣地區未來三年將投資750億美元，位居第三，因為該地區的芯片制造商將在海外建造一些新的晶圓廠，3納米以下是其投資的主要驅動力。 從2025年到2027年，美洲地區預計投資630億美元，而日本、歐洲和中東以及東南亞預計將在三年內分別投資320億美元、270億美元和130億美元。值得注意的是，由于旨在緩解對關鍵半導體供應擔憂的政策激勵措施，預計2027年這些地區的設備投資將比2024年增加一倍以上。 領域增長 2025年至2027年間，Foundry設備支出預計將達到約2300億美元，這得益于對先進節點的投資以及對成熟節點的持續支出。對2nm工藝的投資和2nm關鍵技術的開發，如全環繞柵極（GAA）晶體管結構和背面功率傳輸技術，對于滿足未來高性能和節能計算需求至關重要，特別是對于人工智能應用。由于對汽車電子和物聯網應用的需求不斷增加，在成本效益高的22nm和28nm工藝上有望實現增長。 Logic和Micro領域預計將在未來三年率先擴大設備支出，預計總投資為1730億美元。Memory位居第二，預計同期將貢獻超過1200億美元的支出，標志著另一個細分市場增長周期的開始。在Memory領域，DRAM相關設備的投資預計將超過750億美元，而3D NAND的投資預計達到450億美元。 Power相關領域排名第三，預計未來三年投資將超過300億美元，其中化合物半導體項目投資約140億美元。同期，模擬和混合信號領域預計將達到230億美元，其次是光電/傳感器，為128億美元。 作為SEMI Fab Forecast數據庫的一部分，SEMI《300mm晶圓廠2027年展望報告》列出了全球420座設施和生產線，其中包括預計高概率將在2024年開始的未來四年內開始運營的79座設施。該報告反映了自上次2024年6月發布以來的169次更新和9個新的晶圓廠/生產線項目。 |
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