2025第三代功率半導體器件及應用技術展覽會

時間：2025年11月20-22日

地點：廣州琶洲保利世貿博覽館

E-mail：2100343293@qq.com

聯系人：徐 妍159 8923 3176 Wechat

近年來，我國信息技術得到迅猛發展，半導體作為其中的關鍵器件起著重要的作用。政策方面國家出臺了一系列相關政策旨在大力提升先進計算、新型智能終端、超高清視頻、網絡安全等數字優勢產業競爭力，積極推進光電子、高端軟件等核心基礎產業創新突破，這大大提高了對半導體的需求，同時外部環境美國在芯片方面的制裁促使國家對芯片半導體的重視。種種原因使得中國半導體市場規模增長迅速，2022年中國第三代半導體市場規模達到111.79億元，同比增長39.2%，2018年到2022年復合增長率為43%，增長速度驚人。其中2022年氮化鎵(GaN)半導體市場規模達到62.58億元，碳化硅(SiC)半導體市場規模達到43.45億元，其他化合物半導體為5.76億元。

以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。伴隨半導體產業逐漸復蘇，以及電動汽車、新能源等應用市場的蓬勃發展，國內第三代半導體技術和產業取得顯著進步。在此背景下，由深圳新芯能展覽有限公司聯合粵港澳大灣區半導體產業聯盟共同主辦的APSME 2025第三代半導體器件及應用技術展覽會，將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿博覽館舉辦，重點展示功率半導體(IGBT和MOSFET)SiC功率器件、GaN功率器件、GaN功率芯片、二極管、三極管濾波元件等，同時組委會邀請全球的新能源汽車、光伏、風能、儲能、5G通信、衛星通信、光通信、電力電子、智能電網等預計上萬名專業觀眾歡聚一堂，參加展會。

● 硅基功率器件(MOSFET/IGBT)等；

● 第三代半導體SiC/GaN器件；

● 外延片、襯底材料如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、硅(Si)、砷化鎵(GaAs)等；

● GaN功率芯片、二極管、三極管濾波元件等；

● 設計開發

● 生產設備

● 封裝測試

● 散熱管理

● 可靠性測試及認證

● 信息服務

行業盛會APSME 2025亞洲國際功率半導體、材料及裝備技術展覽會將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿博覽館舉辦；展會匯聚全球優質品牌廠商齊聚現場，打造功率半導體全產業鏈創新展示、一站式采購及技術交流平臺，集中展示半導體器件、功率模塊、材料、封裝技術、測試技術、生產設備、散熱管理等熱門產品，致力于先進半導體器件、封裝測試、工藝流程、創新應用及產業鏈間的合作，為上游及材料設備搭建交流協作的橋梁。展會期間還將舉辦一系列技術論壇，展示全球產業動態及未來技術趨勢。

◆ 車規級功率半導體論壇

◆ 功率半導體IGBT/SiC產業論壇

◆ 化合物半導體技術與應用發展論壇

◆ GaN氮化鎵|半導體功率器件技術論壇

◆ 功率mosfet-Si硅/SiC碳化硅|半導體功率器件技術論壇

◆ 碳化硅襯底材料生長與加工技術創新發展論壇

◆ 第三代半導體材料制造與裝備技術高峰論壇

◆ 功率半導體器件性能開發與測試技術論壇