俄羅斯公布自研EUV光刻機路線圖
發布時間：2024-12-20 09:27
發布者：eechina
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近日，俄羅斯已公布自主開發極紫外光刻（EUV）光刻機的路線圖，目標旨在制造出比荷蘭ASML公司的光刻機更便宜且更容易制造的產品。 俄羅斯的自主光刻機在技術參數上有獨特之處，其采用11.2nm的激光光源，而ASML的光刻機采用的是標準的13.5nm激光光源。這一改變帶來了多方面的影響。首先，在分辨率方面，11.2nm波長的分辨率相比13.5nm提高了20%，能夠提供更精細的芯片制造細節。 在成本方面，11.2nm波長的調整簡化了光刻機的設計并降低了光學元件的成本。這種設計改進還顯著減少了光學元件的污染，延長了諸如收集器和保護膜等關鍵部件的使用壽命。而且俄羅斯的光刻機還可使用硅基光阻劑，預期在較短波長下具備更出色的性能表現。 不過，目前俄羅斯的光刻機也存在一些限制。例如，其光源功率僅為3.6千瓦，這導致產量僅為ASML設備的37%，但就小規模芯片生產需求而言，其性能是足夠的。 該項目由俄羅斯科學院微結構物理研究所的Nikolay Chkhalo領導。在研發計劃上，其分三個階段推進。第一階段聚焦技術突破，進行科學研究與工程設計以解決關鍵技術難題，并制定合作框架和設備清單為后續奠定基礎；第二階段是實驗驗證，制造用于測試的實驗性光刻設備，集成高效多鏡頭投影系統和多千瓦激光器，用于200/300毫米晶圓的工藝測試；第三階段則走向產業化，開發適合工業應用的高性能光刻設備，計劃量產直徑300毫米晶圓的設備，生產能力預計超每小時60片。 由于西方制裁，俄羅斯難以獲取國外先進光刻設備，在這樣的背景下，俄羅斯自主研發光刻機有助于其實現技術主權，并且從長遠來看，計劃中的光刻設備有望為中小型芯片制造商提供更具成本效益的選擇。盡管面臨資金不足和人才匱乏等挑戰，但俄羅斯決心依據創新路線圖突破困境，并希望在2028年前完成研發工作。 值得注意的是，俄羅斯光刻機采用11.2nm波長，這與現有的EUV基礎設施不兼容，未來俄羅斯可能需要在開發自己的光刻生態系統方面投入大量精力，這一過程或許需要數年甚至十年或更長時間。 |
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