ZT:Moore定律遇到挑戰, 半導體技術發展面臨方向性選擇
發布時間：2010-4-8 09:31
發布者：步從容
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集成電路特征尺寸已接近22納米。過了這一節點之后，集成電路工藝就需要做出重大變革。對這一問題，業界很有影響的 EETIMES 雜志最近發表系列文章進行深入分析： Lithography's generation gap http://www.eetimes.com/news/semi/showArticle.jhtml?articleID=224000217 Lithography 是集成電路自開始以來一直使用的主流工藝。該文說,現有的 Lithography 技術已經接近盡頭.如果找不到好的替代技術，那么Moore定律就會走到盡頭，集成電路的發展就會大大減緩。 目前有四種潛在的替代技術(稱為NGL, Next Generation Lithography),它們分別是: EUV, Nanoimprint, multibeam和 self-assembly. 半導體行業面臨的困境是，不清楚那種技術真正有前途。 迄今為止， 人們在EUV技術上花費的投資最多，研發時間最長。INTEL曾經認為，2005年該技術可以商業化。但是，INTEL現在把這個時間表推到2012年以后。EUV的研發機構認為他們還需要大量的投資。 有不少人認為，EUV方向走錯了，如果投資于其他技術更有前途。另一方面，其他幾項技術目前還處在研究狀態，離開商業化的距離比較遠。 EETIMES說，半導體行業處在十字路口，人們不清楚應該繼續向 EUV方向發展，還是另選其他技術。 相關文獻和討論： EUV camp drops ball on metrology http://eetimes.com/news/latest/showArticle.jhtml?articleID=224000218 Point/Counterpoint: What's the right path for litho? http://eetimes.com/news/latest/showArticle.jhtml?articleID=224000269 |
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