Diodes柵極驅動器可在半橋或全橋配置下開關功率MOSFET與IGBT
發布時間：2016-3-14 14:08
發布者：eechina
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅動器及六款高/低側600V柵極驅動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關功率MOSFET與IGBT。目標應用包括大型家用電器的驅動電機、工業自動化系統以及電動自行車和無人駕駛飛機等以電池供電的運載工具。新產品還適用于超過600W的電源，以及燃料電池、太陽能和風力發電應用的反相器。
DGD21xx系列具有可自舉到高達600V的浮動高側驅動器，使之適用于在電機驅動器及電源常見的高壓電源軌。高峰值電流驅動能力實現MOSFET與IGBT的快速開關，從而在高頻率工作下提升效率。這些器件的輸入邏輯兼容低至3.3V，進一步簡化控制器及電源開關之間的接口設計。 為防止MOSFET或IGBT出現擊穿現象，所有器件都提供延遲匹配能力，而半橋驅動器還配備預設的內部死區時間。其它自我保護功能包括有效防止觸發故障狀態的施密特 (Schmitt) 輸入；能夠承受由高dV/dt開關所產生負瞬態的柵極驅動器，以及可在低供電電壓情況下防止故障的欠壓閉鎖。 新產品系列采用SO-8或SO-16封裝，與其他來源的器件引腳兼容。如欲了解進一步產品信息，請訪問www.diodes.com。 |
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