Intel承認在EUV光刻上犯錯：當年太自信
發布時間：2022-10-15 10:13
發布者：eechina
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來源：快科技 最近幾年，臺積電及三星在半導體工藝上超越了Intel，后者在14nm節點之前都是全球最先進的半導體公司，然而在10nm節點面臨各種困難，給了對手可乘之機。 Intel在這個過程中是如何被超越的？CEO基辛格日前接受了采訪，特別提到了Intel在EUV光刻工藝上的選擇錯誤。 在EUV技術研發上，Intel是全球重要推手，ASML研發EUV光刻機也得到了Intel的不少幫助，但是Intel在10nm節點沒有選擇EUV光刻，而是嘗試了新的SAQP四重曝光技術，它們的目標是不依賴EUV光刻機也能生產先進工藝。 基辛格表示，當初這個目標是很好的，然而SAQP曝光工藝非常復雜，成本高，隨著時間的推移，Intel站在了EUV錯誤的一邊，基辛格表示當時應該至少有一個并行的EUV戰略才對。 基辛格所說的這個事其實就是過去幾年中Intel在10nm工藝上多次跳票的關鍵，這兩年才算是搞定了10nm工藝的量產，現在改名為Intel 7工藝。 至于EUV工藝，Intel現在也重視起來了，跟ASML的合作很好，今年底量產的Intel 4工藝就是Intel首個EUV工藝，用于首發量產14代酷睿Meteor Lake，明年上市。 |
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