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    Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業電源開關應用的安全性、穩健性和可靠性標準

    發布時間:2023-12-1 09:40    發布者:eechina
    關鍵詞: Nexperia , SiC , MOSFET , 工業電源 , 開關應用
    來源:半導體行業觀察

    基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并發布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件,RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產品組合中首批發布的產品,隨后Nexperia將持續擴大產品陣容,推出多款具有不同RDS(on)的器件,并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高,可滿足電動汽車(EV)充電樁、不間斷電源(UPS)以及太陽能和儲能系統(ESS)逆變器等汽車和工業應用對高性能SiC MOSFET的需求。



    Nexperia高級總監兼SiC產品部主管Katrin Feurle表示:“Nexperia和三菱電機希望這兩款首發產品可以激發更多的創新,推動市場涌現更多寬禁帶器件供應商。Nexperia現可提供SiC MOSFET器件,這些器件的多個參數性能均超越同類產品,例如極高的RDS(on)溫度穩定性、較低的體二極管壓降、嚴格的閾值電壓規格以及極其均衡的柵極電荷比,能夠安全可靠地防止寄生導通。這是我們與三菱電機承諾合作生產高質量SiC MOSFET的開篇之作。毫無疑問,在未來幾年里,我們將共同推動SiC器件性能的發展!

    三菱電機半導體與器件部功率器件業務高級總經理Toru Iwagami表示:“我們很高興與Nexperia攜手推出這些新型SiC MOSFET,這也是我們合作推出的首批產品。三菱電機在SiC功率半導體方面積累了豐富的專業知識,我們的器件實現了多方面特性的出色平衡!

    RDS(on)會影響傳導功率損耗,是SiC MOSFET的關鍵性能參數。Nexperia發現這也是造成目前市場上許多SiC器件的性能受限的因素,新推出的SiC MOSFET采用了創新型工藝技術,實現了業界領先的溫度穩定性,在25℃至175℃的工作溫度范圍內,RDS(on)的標稱值僅增加38%。

    Nexperia SiC MOSFET的柵極總電荷(QG)非常低,由此可實現更低的柵極驅動損耗。此外,Nexperia通過平衡柵極電荷,使QGD與QGS比率非常低,這一特性又進一步提高了器件對寄生導通的抗擾度。

    除了正溫度系數外,Nexperia的SiC MOSFET的器件間閾值電壓VGS(th)也超低,這使得器件并聯工作時,在靜態和動態條件下都能實現非常均衡的載流性能。此外,較低的體二極管正向電壓(VSD)有助于提高器件穩健性和效率,同時還能放寬對異步整流和續流操作的死區時間要求。

    Nexperia未來還計劃推出車規級MOSFET。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0現已投入大批量生產。請聯系Nexperia銷售代表獲取全套SiC MOSFET樣品。

    欲了解有關Nexperia MOSFET的更多信息,請訪問:https://www.nexperia.com/sic-mosfets
    本文地址:http://www.portaltwn.com/thread-847448-1-1.html     【打印本頁】

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