ST基于18nm FD-SOI工藝制造嵌入式MCU
發布時間：2024-3-29 14:42
發布者：eechina
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來源：大半導體產業網 日前，意法半導體(ST)發布了一項基于 18 納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI) 技術并整合嵌入式相變存儲器 (ePCM)的先進制造工藝，支持下一代嵌入式處理器升級進化。這項新工藝技術是意法半導體和三星晶圓代工廠共同開發，使嵌入式處理應用的性能和功耗實現巨大飛躍，同時可以集成容量更大的存儲器和更多的模擬和數字外設�；谛录夹g的下一代STM32 微控制器的首款產品將于 2024下半年開始向部分客戶提供樣片，2025 年下半年排產。 與目前在用的 ST 40nm 嵌入式非易失性存儲器 (eNVM) 技術相比，集成 ePCM 的18nm FD-SOI制造工藝極大地提高了關鍵的品質因數： 性能功耗比提高 50% 以上 * 非易失性存儲器 (NVM)密度是現有技術的2.5 倍，可以在片上集成容量更大的存儲器 * 數字電路密度是現有技術的三倍，可以集成人工智能、圖形加速器等數字外設，以及最先進的安全保護功能 * 噪聲系數改善 3dB，增強了無線 MCU 的射頻性能 該技術的工作電源電壓是3V，可以給電源管理、復位系統、時鐘源和數字/模擬轉換器等模擬功能供電，ST稱這是20 納米以下唯一支持此功能的半導體工藝技術。 該技術的耐高溫工作、輻射硬化和數據保存期限已經過汽車市場的檢驗，能夠滿足工業應用對可靠性的嚴格要求。 |
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