SK海力士和臺積電簽署諒解備忘錄， 在HBM4研發和下一代封裝技術上展開合作
發布時間：2024-4-19 16:25
發布者：eechina
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來源：EXPreview SK海力士宣布，已經與臺積電（TSMC）簽署了諒解備忘錄（MOU），雙方就下一代HBM產品生產和加強整合HBM與邏輯層的先進封裝技術密切合作。SK海力士計劃與臺積電合作開發第六代HBM產品，也就是HBM4，預計在2026年投產。 SK海力士表示：“公司作為AI應用的存儲器領域的領先者，與全球頂級邏輯代工企業臺積電攜手合作，將會繼續引領HBM技術創新。通過以構建IC設計廠、晶圓代工廠、存儲器廠三方技術合作的方式，公司將實現存儲器產品性能的新突破�！� 據了解，SK海力士和臺積電首先致力于針對搭載于HBM封裝內最底層的基礎裸片（Base Die）進行性能改善。HBM是將多個DRAM裸片（Core Die）堆疊在基礎裸片上，并通過硅通孔（TSV）技術進行垂直連接而成�；A裸片也連接至GPU，起著對HBM進行控制的作用。 SK海力士包括HBM3E（第五代HBM產品）在內的HBM產品，都是基于公司自身制程工藝制造了基礎裸片，但HBM4開始會采用臺積電的先進邏輯（Logic）工藝，以便增加更多的功能。SK海力士和臺積電將協力優化SK海力士的HBM產品和臺積電的CoWoS技術融合，以應相關客戶對HBM產品的要求。 此外，SK海力士還計劃生產在性能和功效等方面更廣的滿足客戶需求的定制化（Customized）HBM產品。 |
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