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    三星要搶下英偉達3nm訂單

    發布時間:2024-5-21 15:00    發布者:eechina
    關鍵詞: 三星 , 英偉達 , 3nm
    來源:半導體行業觀察

    繼高帶寬存儲器(HBM)之后,三星電子今年的首要任務是在代工(半導體代工)方面獲得全球主要無晶圓廠(半導體設計專家)NVIDIA的訂單。尤其是,隨著晶圓代工巨頭臺積電面臨臺灣地震等風險以及兩岸關系等風險加大,三星電子迫切尋求機會為英偉達打造3納米領域的供應鏈(1納米=10億分之一)一米),四年來最先進的量產工藝,策略就是抓住它。

    贏得NVIDIA 3nm訂單的最大挑戰

    據業內人士20日透露,三星電子半導體(DS)部門的代工部門已知已在內部將贏得英偉達3納米產品訂單作為今年的首要任務。

    一位業內人士表示,“各部門正在全力以赴,通知英語流利的員工,與《尼莫》接單相關的工作將優先于現有工作! Nemo 是三星電子內部的客戶代號,指的是 NVIDIA。

    然而,我們發現代工部門內并未成立專門的組織,例如獨立的工作組(TF)來贏得Nvidia產品的訂單。

    英偉達此前曾于2020年將英偉達的消費級圖形處理單元(GPU)GeForce RTX 30委托給三星電子的8納米工藝,目前仍在接收相應的芯片。然而,英偉達將使用最近推出的先進工藝的大部分芯片數量轉移到了臺積電,從而導致三星代工廠的訂單停止。目前,NVIDIA的人工智能(AI)半導體“H100”和“A100”也是通過臺積電的4納米和7納米工藝制造的。

    業界認為,三星電子將于今年上半年量產3納米第二代環柵(GAA)工藝,其重點是贏得Nvidia產品的訂單并縮小與Nvidia的差距。市占率與臺積電第一。為此,據說三星電子的代工部門不惜一切代價確保3納米第二代芯片的穩定良率。GAA 是下一代技術,將克服現有晶體管結構 FinFET 的局限性,而三星電子是唯一一家推出該技術的代工公司。

    “臺灣風險”臺積電追趕,千載難逢的機會

    有分析稱,今年地震、地緣政治不穩定等“臺灣風險”顯現,是縮小與臺積電差距的“最佳”時機。去年4月臺灣地震時,臺積電主要前端加工基地遭受破壞,導致工藝中斷。KB證券研究員Kim Dong-won和Yoo Woo-hyung分析道:“考慮到臺灣地震和地緣政治風險,三星電子有望成為存儲器和代工供應鏈多元化的唯一選擇和有吸引力的合作伙伴在生成人工智能市場!

    美國經濟媒體《Business Insider》也指出,“世界上80-90%的尖端芯片是在臺灣生產的”,并補充說,“臺灣是地震多發地區,我們必須利用這一點”。顯著減少我們依賴的機會!

    與此同時,三星電子對Nvidia的收購在HBM中也引人注目。

    據了解,負責三星電子 HBM 業務的內存業務部門副總裁兼 DRAM 開發主管 Sang-Jun Hwang 最近正在美國出差。據了解,此次出差是為了與NVIDIA洽談第五代產品HBM3E的供貨事宜。

    去年3月,在美國圣何塞舉行的開發者大會“GTC 2024”上,NVIDIA首席執行官黃仁勛在三星電子展位上留下了題為“JENSEN APPROVED”的手寫信息,表明三星電子對NVIDIA HBM的訂單已經迫在眉睫。
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