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    Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來越受歡迎的D2PAK-7封裝

    發布時間:2024-5-23 18:17    發布者:eechina
    關鍵詞: SiC , MOSFET , D2PAK-7 , Nexperia
    1200 V器件采用SMD-7封裝,性能領先同類產品

    Nexperia今天宣布,公司現推出業界領先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝,有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產品,它將使其SiC MOSFET產品組合迅速擴展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。



    隨著NSF0xx120D7A0的發布,Nexperia正在滿足市場對采用D2PAK-7等SMD封裝的高性能SiC開關日益增長的需求,這種開關在電動汽車(EV)充電(充電樁)、不間斷電源(UPS)以及太陽能和儲能系統(ESS)逆變器等各種工業應用中越來越受歡迎。這也進一步證明了Nexperia與三菱電機公司(MELCO)之間成功的戰略合作伙伴關系,兩家公司聯手將SiC寬帶隙半導體的能效和電氣性能推向了新的高度,同時還提高了該技術的未來生產能力,以滿足不斷增長的市場需求。

    RDSon是SiC MOSFET的一個關鍵性能參數,因為它會影響傳導功率損耗。然而,許多制造商只關注標稱值,而忽略了一個事實,即隨著設備工作溫度的升高,RDSon相比室溫下的標稱值可能會增加100%以上,從而造成相當大的傳導損耗。Nexperia發現這也是造成目前市場上許多SiC器件的性能受限的因素之一,新推出的SiC MOSFET采用了創新型工藝技術特性,實現了業界領先的RDSon溫度穩定性,在25℃至175℃的工作溫度范圍內,RDSon的標稱值僅增加38%。

    嚴格的閾值電壓VGS(th)規格使這些MOSFET分立器件在并聯時能夠提供平衡的載流性能。此外,較低的體二極管正向電壓(VSD)有助于提高器件穩健性和效率,同時還能放寬對續流操作的死區時間要求。

    欲了解有關Nexperia SiC MOSFET的更多信息,請訪問:https://www.nexperia.cn/sic-mosfets

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