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    三星承認:芯片業務面臨危機,誓言卷土重來

    發布時間:2024-5-31 14:41    發布者:eechina
    關鍵詞: 三星 , 芯片
    來源:半導體行業觀察

    三星電子設備解決方案 (DS) 部門新任負責人全永鉉 (Jun Young-hyun) 負責三星的芯片業務,他承認公司面臨的挑戰,并誓言要將其轉化為機遇。全永鉉周四在公司內部主頁上發布的一條消息中表示:“對于公司面臨的危機,我深感責任重大。

    內存芯片業務曾經是無可匹敵的第一大業務,但現在正面臨嚴峻挑戰,我們的合同制造業務正努力跟上行業領先者的步伐。此外,我們的系統 LSI(芯片設計)部門也遇到了重大障礙!

    全表示,三星電子“積累了寶貴的專業知識,經歷了非傳統的研究經驗,擁有一支出色的員工隊伍,以及在無數過去的風險和危機中打造的堅實技術基礎!

    “我相信,如果我們繼續培養開放溝通和討論的文化,我們就能迅速克服這一最新逆境!

    為了保持三星在內存芯片領域的領先地位,全永鉉還要求管理層和員工保持團結。過去幾年,三星面臨著來自美光和SK 海力士的激烈競爭,SK 海力士在高帶寬內存 ( HBM ) 市場已經超越了三星。

    三星希望成為全球最大的HBM供應商。由于AI芯片市場的爆發式增長,HBM芯片的需求量巨大。

    全永鉉在公司內部公告欄上發布了就職信息,稱“三星的半導體業務已有 50 年歷史,并且一直保持著第一的位置。我們通過克服無數危機和挑戰,獲得了無與倫比的技術資產。我相信,通過利用積累的實力并培養半導體行業獨有的溝通和對話文化,我們能夠克服當前的挑戰!

    三星電子最大的工會(占員工總數的22%,即28000人)決定下周罷工,原因是加薪要求未得到滿足。這將是三星歷史上的第一次罷工,被視為一個巨大的挑戰。

    全永鉉沒有提及即將舉行的罷工,但他承認員工們的不懈努力。他強調,他和管理團隊對這一充滿挑戰的局面深感責任重大。

    全還強調了人工智能時代為半導體業務帶來的黃金機遇,并重申他致力于通過規劃正確的道路來抓住這一機遇。

    三星電子的半導體業務去年虧損近 15 萬億韓元(109 億美元),表明在經歷了行業最嚴重的周期性衰退之一后,復蘇速度慢于預期。該公司在高帶寬內存芯片方面面臨來自本土競爭對手 SK 海力士的激烈競爭,并且正在努力縮小與臺積電在合同制造方面的差距。

    上周,該公司罕見地進行了年中高管改組,全取代了前任領導人 Kyung Kye-hyun,凸顯了半導體業務扭虧為盈的迫切需要。

    三星半導體動蕩背后

    三星電子突然更換半導體業務領導層,此舉被視為旨在克服半導體業務面臨的復雜危機的人事調整。

    5月21日,三星電子宣布任命未來業務規劃組組長(副董事長)全永鉉為設備解決方案(DS)部門新任負責人。原DS部門負責人景圭鉉已調任未來業務規劃組組長一職。

    三星之所以在常規人事變動前約半年宣布“一分”意外消息,是因為半導體行業內部的危機。在行業整體低迷的背景下,僅去年一年的半導體業務就虧損了15萬億韓元,加之對人工智能高帶寬存儲器(HBM)的投資時機判斷失誤,導致競爭對手搶占先機,三星不得不重新制定技術差距戰略。

    事實上,SK海力士在內存市場一直穩坐亞軍,如今正憑借高帶寬內存(HBM)領域的進步,大力追趕三星電子,而在代工(半導體合同制造)領域,英特爾也向三星發起了挑戰。三星必須捍衛的內存第一和代工第二的地位,現在正受到威脅。此外,代工市場絕對領先者臺積電宣布將開始生產 HBM 的關鍵部件“基片”,這進一步表明三星正陷入困境。

    目前,SK海力士是全球最大圖形處理器(GPU)公司Nvidia的第三代HBM(HBM3)獨家供應商,占據HBM3市場90%以上的份額。三星電子雖然進入HBM3市場較晚,但未能通過Nvidia的質量測試。SK海力士還先于三星成功向Nvidia交付了第五代HBM(HBM3E),因此三星電子必須縮小與SK海力士在HBM市場份額上的差距。

    在代工業務方面,縮小與行業領頭羊臺灣臺積電的差距至關重要。英特爾已公開設定了到 2030 年超越三星電子的目標,是三星必須擊退的另一個挑戰者。據市場研究公司 TrendForce 的數據,去年第四季度臺積電在全球代工市場的市場份額達到 61.2%,而三星電子的市場份額為 11.3%,差距擴大至 49.9 個百分點。三星電子是全球首個開發 3 納米以下超精細工藝技術的公司,它希望全副董事長親自監督開發和量產過程,這是其追求的關鍵一步。

    全副會長肩負著振興三星半導體業務的特殊使命,他是一名受過專業訓練的工程師,也是三星內存成功的關鍵人物。他在 2000 年加入三星電子之前就職于 SK 海力士的前身 LG Semicon,在 DRAM 和 NAND 閃存的開發和營銷方面擁有豐富的經驗,并升任內存部門的業務負責人。后來,他擔任三星 SDI 的總裁兼董事會主席,領導電池業務,去年重返三星電子,負責未來業務規劃小組。
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