臺積電1nm以下制程取得重大突破，已發表于Nature
發布時間：2021-5-18 09:37
發布者：eechina
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IT之家 5月17日消息 臺積電今日聯合臺大、麻省理工宣布，在1nm以下芯片方面取得重大進展，研究成果已發表于Nature。 該研究發現，利用半金屬鉍 Bi 作為二維材料的接觸電極，可以大幅降低電阻并提高電流，實現接近量子極限的能效，有望挑戰1nm 以下制程的芯片。 據介紹，該發現是由麻省理工團隊首先發現的，隨后臺積電將“易沉積制程”進行優化，而臺大電機系暨光電所教授吳志毅團隊則通過氦離子束微影系統”將元件通道成功縮小至納米尺寸。 IT之家此前報道，IBM 在5月初首發了2nm 工藝芯片，與當前主流的7nm 芯片相比，IBM 2nm 芯片的性能預計提升45%，能耗降低75%。 不過業界人士表示，由于 IBM 沒有先進邏輯制程芯片的晶圓廠，因此其2nm 工藝無法很快落地，“彎道超車”也比較困難。 |
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