HBM4競爭已經開啟 堆疊挑戰依然存在，混合鍵合技術是關鍵
發布時間：2024-6-11 09:35
發布者：eechina
關鍵詞：
HBM4
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來源：EXPreview 近年來，人工智能（AI）、高性能計算（HPC）和PC一直在推動高性能DRAM產品的研發，市場對HBM產品的需求也在迅速增長，三星、SK海力士和美光三家主要存儲器制造商都加大了投入。SK海力士作為目前HBM領域的領導者，首次現身COMPUTEX 2024，展示了最新的HBM3E和MR-RUF技術，表示混合鍵合將在芯片堆疊中發揮至關重要的作用。 據Trendforce報道，SK海力士的MR-RUF技術是將半導體芯片附著在電路上，使用EMC（液態環氧樹脂模塑料）填充芯片之間或芯片與凸塊之間的間隙�，F階段MR-RUF技術可實現更緊密的芯片堆疊，散熱性能提高10%，能效提高10%，最多可實現12層垂直堆疊，提供36GB容量的產品。 相比之下，三星和美光使用的是TC NCF技術，需要高溫高壓將材料固化再熔化，然后進行清洗。這個過程涉及2-3個步驟，而MR-RUF技術可以在不需要清洗的情況下一步完成整個過程。根據SK海力士的說法，MR-RUF的導熱系數大約是TC NCF的兩倍，顯著影響了生產速度和產量。從目前的市場占有率來看，SK海力士的說法似乎非常有說服力。 傳聞JEDEC固態存儲協會可能會放寬HBM4在高度方面的要求，也就是最高的720微米的限制，將12層及16層垂直堆疊的HBM4高度放寬至775微米，這意味著存儲器制造商可以在現有的鍵合技術中實現16層堆疊，無需轉向新的混合鍵合技術。 SK海力士透露，在未來的芯片堆疊中，將消除凸塊，并使用特殊材料填充和連接芯片。這種材料類似于液體或膠水，將提供散熱和芯片保護，從而實現更薄的整體芯片堆棧。SK海力士非常地樂觀，認為混合鍵合技術有可能在不超過775微米的情況下實現20層以上的堆疊，不需要轉向新的工藝。 |
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